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之前小编给大家分享过一些关于二手ICP-MS的内容,今天小编主要给大家分享一下关于二手ICP-MS质谱干扰,下面跟着小编一起来了解一下吧

 

电感耦合等离子体质谱干扰

电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)分析中,约有260个天然同位素(6Li~238U),即对应的质谱线约有260条。与ICP-AES的复杂光谱相比,它明显简单得多。然而,大量的研究表明,要想得到准确的定量分析结果,就需要减少干扰行或降低影响离子流准确测量的程度。在不同浓度的多元素测定中,由于微量元素的浓度从很高到很低的变化,潜在的干扰效应是明显的,这已成为一个不容忽视的问题。

电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)中的干扰可分为“质谱干扰”和“非质谱干扰”。质谱干扰是ICP-MS中一种严重的干扰类型。

1、 质谱干扰

1) 多原子离子干涉

多原子离子干扰是一种常见的质谱干扰。顾名思义,这些离子是由两个或多个原子组合而成的短命复合离子。它们的干扰源是:等离子体/原子化中使用的气体、溶剂/样品的基质成分、样品中的其他元素离子或来自周围环境的氧/氮。例如,在氩等离子体中,常见的质谱干扰形式是氩离子和由氩离子和其他离子形成的复合离子。

虽然有多种进样技术,但大多数ICP-MS采用溶液雾化法。因此,对于大多数样品类型,样品分解是常规分析的先决条件。样品通常用于酸化或溶解各种无机酸。在这个过程中,AR还会干扰形成多原子离子的酸。

多原子离子的形成程度还与仪器的操作参数和样品处理有关。只要注意样品的制备过程,只有少数离子会产生严重的干扰效应。此外,还可以预测多原子离子干涉,并根据矩阵类型计算出可能发生的多原子干涉。

2) 等距干涉

等距干扰是指样品中与被分析离子质量相同的其他元素的同位素所引起的重叠干扰,四极质谱法无法解决。除ICP-MS载气和碰撞/反应气中的杂质外,如Kr、Xe等。

3)难熔氧化物干扰

难熔氧化物离子是由样品基质不完全解离或等离子体羽流中的解离元素复合而产生的。它的质量数出现在母离子的质量数(m)加上质量单位16的地方。通常,可以从所涉及的元素的单一氧化物的结合强度来预测可能发生的氧化物离子的相对强度。高氧化结合强度的元素通常具有高的Mo +离子产率。氧化物离子的产率通常取决于相应元素的强度与峰强度之比和Mo +/M+。

4) 双电荷离子干扰

由于多电荷离子(通常是双电荷离子)的重叠,一些低电离电位的元素容易形成双电荷离子,主要是碱土金属、一些稀土元素和数量有限的过渡金属元素。这种干扰必须用高分辨率质谱仪进行校正或测量。

2、 解决质谱干扰的方法

原始干扰的形成主要与ICP、溶剂或样品溶剂中的基体成分、环境中引入的氧和氮有关。

目前,除了优化仪器条件(如射频电源、雾化器流量等)外,解决质谱干扰的常用方法包括:

① 测定前分离干扰元素;

② 数学校正;

③ 冷等离子体技术和等离子体屏蔽技术;

④ 碰撞/反应池技术。